El mercado de semiconductores experimenta un giro inesperado con el anuncio de una alianza estratégica que podría cambiar las reglas del juego. Intel ha confirmado su colaboración con SAIMEMORY, filial del gigante japonés SoftBank, para el desarrollo de la innovadora memoria Z-Angle (ZAM). Esta tecnología busca irrumpir en un sector dominado actualmente por soluciones de alto costo, ofreciendo una alternativa más eficiente y potente para el procesamiento de datos masivos.
Las operaciones conjuntas han comenzado oficialmente este primer trimestre de 2026, con la mirada puesta en la computación de alto rendimiento. Según el cronograma oficial, los primeros prototipos funcionales verán la luz en 2027, mientras que la producción a gran escala está proyectada para el año 2030. La hoja de ruta marca el regreso indirecto de Intel a un terreno que dominó hace décadas, aportando su capacidad de innovación y soporte técnico especializado.
El regreso de Intel al mercado de la memoria DRAM
La implicación de la compañía estadounidense en este nuevo proyecto no es casualidad, dado su legado histórico en la industria del silicio. Intel lanzó la primera DRAM comercial exitosa en 1970, controlando casi la totalidad del mercado global antes de retirarse en 1985 debido a la feroz competencia. Ahora, mediante el desarrollo de la memoria ZAM, la firma busca recuperar su relevancia en el almacenamiento de datos, impulsada por la explosión de la IA.
La demostración confirma que las tecnologías NGDB pueden combinarse para ofrecer una memoria de alto rendimiento adecuada para la fabricación de gran volumen.
El corazón técnico de esta iniciativa se basa en la tecnología Next-Generation DRAM Bonding (NGDB), un método de interconexión avanzado. A diferencia de los estándares actuales, el sistema NGDB permite acortar la distancia entre la memoria HBM y la DRAM convencional. Esto se logra mediante un diseño de apilamiento vertical que optimiza el flujo de datos y reduce la resistencia eléctrica, eliminando así los cuellos de botella en servidores.
La Eficiencia energética y la arquitectura vertical
La arquitectura de la memoria Z-Angle se distingue por utilizar el eje Z para apilar hasta ocho capas de silicio. Esta estructura vertical, combinada con la tecnología de puenteo EMIB de Intel, permite duplicar la capacidad de memoria en comparación con las soluciones actuales. El objetivo es alcanzar hasta 512 GB por chip, una cifra que transformaría por completo las capacidades de los centros de datos modernos.
Además de la capacidad, la eficiencia es el pilar fundamental de esta colaboración entre Intel y SoftBank. Se espera que la nueva DRAM apilada reduzca el consumo de energía entre un 40 % y un 50 %. Al mismo tiempo, los costes de producción se estiman en apenas un 60 % respecto a la memoria HBM3, lo que democratizaría el acceso a hardware especializado para el entrenamiento de modelos de IA.
El Impacto en la industria y computación de borde
El potencial de esta tecnología no se limita a los grandes servidores, sino que alcanza la computación de borde. Con un consumo energético drásticamente inferior, los dispositivos locales podrían procesar tareas complejas sin depender exclusivamente de la nube. Esta ventaja competitiva sitúa a Intel en una posición privilegiada para redefinir su trayectoria de crecimiento tras años de presión en el mercado de las CPUs tradicionales.
La alianza con Sandia National Laboratories ha sido crucial para validar que estos prototipos son completamente funcionales bajo estrés. Al superar las limitaciones de escalado de los sistemas actuales, la memoria ZAM se perfila como el nuevo estándar industrial. El éxito de este proyecto no solo beneficiará a los socios involucrados, sino que promete una evolución sin precedentes en la infraestructura global necesaria para sostener el avance tecnológico.